上一章我们讲到集成芯片制作的基板硅晶圆，那么这一章我们接着来讲硅晶圆是怎么一步一步制作成我们最终看到的集成芯片的。我们可以分成前段制程（Front End）和后段制程（Back End）两个制程来讲解，前段制程包含晶圆处理制程（Wafer Fabrication 简称Wafer Fab）和晶圆针刺制程（Wafer Probe）。

那么现在我们先来介绍前段制程：
一．晶圆处理制程 
        主要工作为在硅晶圆上制作电路和电子元件（如：电晶体，电容体，逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocesser）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为唯一温度，湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-room）,虽然详尽的处理程序是随着产品种类和所使用的技术有关，不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，接着进行氧化（Oxidation）及沉积，最后进行微影，蚀刻及离子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工和制作。

二． 晶圆针刺制程
        经过Wafer Feb之制程后，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或者晶粒（Die），在一般情形下，同一晶圆上皆制作相同的晶片，但是有可能在同一晶圆上制作不同规格的产品，这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的晶粒将会被标上记号（Ink Dot）,此程序即称之为晶圆针测制程（Wafer Probe），然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒。
        至此，我们前段制程的基本简单的介绍已经跟大家分享完了，也就是说现在的晶圆已经变成了一粒粒独立的晶粒了，至于晶粒接下来我们要怎么进行处理，我将在下一个章节继续给大家介绍后段制程，我们先来了解下后段制程包含构装（Packaging）和测试制程（Initial Test and Final Test）。以便我们下一章节的继续讲解。

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